| 
Все статьи автора "Андронов О.Д."
Применение SiC-транзисторов в силовой электронике
| Авторы: Андронов О.Д., Глинская Е.В. | Опубликовано: 03.06.2026 |
| Опубликовано в выпуске: #3(104)/2026 | |
| DOI: | |
| Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника | |
| Ключевые слова: карбид кремния, транзисторы SiC-MOSFET, силовая электроника, широкозонные полупроводники, КПД, коммутационные потери, тепловые характеристики, импульсные преобразователи | |