Генераторные свойства графеновых резонансно-туннельных диодов

Авторы: Бельская А.Ю.
Опубликовано в выпуске: #5(5)/2016
DOI: 10.18698/2541-8009-2016-5-43
Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Приборы и методы измерения
Ключевые слова: резонансно-туннельный диод, высокочастотный генератор, графен, гексагональный нитрид бора
Опубликовано: 14.03.2017

Оценены возможности использования графеновых резонансно-туннельных диодов в качестве активного элемента в высокочастотных генераторах. Исследована зависимость частоты и мощности тока от степени легирования графеновых электродов, геометрии устройства, параллельности графеновых решеток. Полученные результаты указывают на теоретическую возможность создания генератора тока терагерцового диапазона на основе графеновых резонансно-туннельных диодов.

Литература

[1] Sollner T.C.L.G., Brown E.R., Goodhue W.D., Le H.Q. Microwave and millimeter-wave resonant-tunnelling devices // The Lincoln Laboratory Journal. 1988. No. 1. P. 89-105.

[2] Sun J.P., Haddad G., Mazumder P., Schulman J.N. Resonant tunneling diodes: models and properties // Proceedings of the IEEE. 1998. Vol. 86. No. 4. P. 641-660. URL: http://ieeexplore.ieee.org/document/663541/ DOI: 10.1109/5.663541

[3] Novoselov K.S. Nobel lecture. Graphene: materials in the flatland // Rev. Mod. Phys. 2011. Vol. 83. No. 3. P. 837-849. URL: http://journals.aps.org/rmp/abstract/10.1103/RevModPhys.83.837 DOI: 10.1103/RevModPhys.83.837

[4] A roadmap for graphene / K.S. Novoselov, V.I. Fal’ko, L. Colombo, P.R. Gellert, M.G. Schwab, K. Kim // Nature. 2012. Vol. 490. P. 192-200. URL: http://www.nature.com/nature/journal/v490/n7419/full/nature11458.html DOI: 10.1038/nature11458

[5] Ferrari A.C., Bonaccorso F., Fal’ko V.I., Novoselov K.S., et al. Science and technology roadmap for graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems // Nanoscale. 2015. No. 7. P. 4598-4810. URL: http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2015/nr/c4nr01600a DOI: 10.1039/C4NR01600A

[6] Hung Nguyen V., Mazzamuto F., Bournel A., Dollfus P. Resonant tunnelling diodes based on graphene/h-BN heterostructure // J. Phys. D Appl. Phys. 2012. Vol. 45. No. 3. URL: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/45/32/325104/meta DOI: 10.1088/0022-3727/45/32/325104

[7] Graphene-hexagonal boron nitride resonant tunneling diodes as high-frequency oscillator / J. Gaskell, L. Eaves, K.S. Novoselov, A. Mishchenko, A.K. Geim, T.M. Fromhold, M.T. Greenway // Appl. Phys. Lett. 2015. Vol. 107. No. 10. URL: http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4930230 DOI: 10.1063/1.4930230