Исследование влияния проволочной и ленточной разварки, а также компаунда на параметры четырехканального переключателя на pin-диодах

Авторы: Кяримов Э.В., Тарасенко Ф.В., Андреев Д.В.
Опубликовано в выпуске: #6(83)/2023
DOI: 10.18698/2541-8009-2023-6-907
Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника
Ключевые слова: четырехканальный переключатель, pin-диод, коэффициент стоячей волны по напряжению, компаунд, проволочная разварка, ленточная разварка, двухпортовые измерения, высокочастотный диапазон
Опубликовано: 19.06.2023

Рассмотрены различные виды реализации и производительность высокочастотного однополюсного четырехнаправленного переключателя на основе данных, полученных путем измерений его основных параметров, а именно коэффициента стоячей волны по напряжению и обратного затухания или развязки, с учетом конструктивных особенностей.
В конструкции переключателя используются бескорпусные pin-диоды, разваренные к печатной плате проволокой или лентой и покрытые компаундом, который позволяет существенно повысить надежность и сроки эксплуатации прибора. Диапазон рабочих частот четырехканального переключателя на pin-диодах составляет 1…30 МГц, что позволяет применять его для изменения режима работы высокочастотных устройств связи.

Литература

[1] Doherty W.E., Joos R.D. The PIN diode circuit designers’ handbook. Microsemi Corporation, Watertown, MA, 1998.

[2] Boles T., Brogle J., Rozbicki A. A Monolithic, 1000 Watt SPDT Switch. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Atlanta, GA, USA, IEEE, 2008. http://doi.org/10.1109/MWSYM.2008.4633297

[3] Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. Москва, Радио и связь, 1987, 120 с.

[4] Бова Н.Т., Стукало П.А., Храмов В.А. Управляющие устройства СВЧ. Киев, Техніка, 1973, 164 с.

[5] Виненко В.Г., Гулейков Ю.М., Карамзина В.В. и др. СВЧ переключатели на PIN-диодах: обзоры по электронной технике. Москва, ЦНИИ «Электроника», 1990, 76 с.

[6] Бова Н.Т., Ефремов Ю.Г., Конин В.В. Микроэлектронные устройства СВЧ. Киев, Технiка, 1984, 184 с.

[7] Andreev D.V., Bondarenko G.G., Andreev V.V., Stolyarov A.A. Use of High-Field Electron Injection into Dielectrics to Enhance Functional Capabilities of Radiation MOS Sensors. Sensors, 2020, vol. 20, iss. 8, pp. 2382(1–11). https://doi.org/10.3390/s20082382

[8] Andreev D.V., Maslovsky V.M., Andreev V.V., Stolyarov A.A. Modified Ramped Current Stress Technique for Monitoring Thin Dielectrics Reliability and Charge Degradation. Phys. Status Solidi A, 2022, vol. 219, iss. 9, pp. 2100400(1–5). https://doi.org/10.1002/pssa.202100400

[9] Bondarenko G.G., Andreev V.V., Stolyarov A.A., Tkachenko A.L. Modification of metal-oxide-semiconductor devices by electron injection in high fields. Vacuum, 2002, vol. 67, no. 3–4, pp. 617–621. https://doi.org/10.1016/S0042-207X(02)00262-2

[10] Мазин А.В., Ткаченко А.Л. Моделирование распределения легирующих примесей в полупроводнике при различных значениях температуры и времени при термической диффузии. Известия Института инженерной физики, 2022, № 3 (65), с. 60–63.

[11] Kuznetsov V. HBM, MM, and CBM ESD Ratings Correlation Hypothesis. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2018, vol. 60, no. 1, pp. 107–114. https://doi.org/10.1109/TEMC.2017.2700492