Создание гетероструктуры gaalas/gaas методом молекулярно-лучевой эпитаксии с применением косвенного контроля скорости роста покрытия

Авторы: Титушкин А.В.
Опубликовано в выпуске: #10(15)/2017
DOI: 10.18698/2541-8009-2017-10-182
Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Приборы и методы измерения
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, эффузионная ячейка, контроль скорости роста покрытия, полупроводниковые гетероструктуры, гетеропереход, двумерный электронный газ, метод Ван дер Пау, квантовый эффект Холла
Опубликовано: 04.10.2017

Показано, что гетероструктура GaAlAs/GaAs, созданная с использованием метода контроля скорости роста покрытия с помощью поверочных зависимостей потока осаждаемого материала от температуры в эффузионных ячейках, обладает выраженными полупроводниковыми свойствами и имеет на границе гетероперехода двумерный электронный газ, что свидетельствует о высоком качестве изготовленного образца. Изучены возможности применения данного метода.

Литература

[1] Шиляев П.А., Павлов Д.А. Полупроводниковые гетероструктуры: гетеропереход. Нижний Новгород, Нижегородский госуниверситет, 2009, 18 с.

[2] Духопельников Д.В. Магнетронные распылительные системы. Ч. 1. Устройство, принципы работы, применение. Москва, Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2014, 55 с.

[3] Духопельников Д.В., Кириллов Д.В., Рязанов В.А., Вин Н.Ч. Оптимизация траектории движения катодного пятна для повышения равномерности выработки катода вакуумного дугового испарителя. Инженерный журнал: наука и инновации. 2013, № 10(22). URL: http://engjournal.ru/catalog/machin/plasma/1042.html.

[4] Духопельников Д.В., Жуков А.В., Костин А.А., Юрченко А.А. Управление движением катодного пятна в линейных вакуумно-дуговых испарителях. Упрочняющие технологии и покрытия, 2005, № 11, с. 45–49.

[5] Духопельников Д.В., Кириллов Д.В., Марахтанов М.К., Воробьев Е.В., Булычёв В.С. Вакуумная дуга на поликристаллическом кремниевом катоде. Наука и Образование: научное издание, 2014, № 11. URL: http://technomag.bmstu.ru/doc/748209.html.

[6] Rajan A. MBE growth, processing and stability of Zinc blende MgS based heterostructures. Heriot-Watt University, 2013, 262 p.

[7] Frigeri P., Seravalli L., Trevisi G., Franch S. Molecular beam epitaxy: an overview. Comprehensive Semiconductor Science and Technology, 2011, vol. 3, pp. 480–522.

[8] Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Улин В.П., Титков А.Н. Нанорельеф окисления поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga0.7Al0.3As и GaAs. Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, № 5, c. 594–597.

[9] Бурлаков Р.Б. Ограничение геометрии образцов для измерения удельного сопротивления методом Ван дер Пау. Вестник Омского университета, 2016, № 2, с. 28–31.

[10] Груздов В.В., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. Контроль новых технологий в СВЧ электронике твердотельной. Москва, Техносфера, 2016, 328 c.

[11] Павлов Д.А., Планкина С.М., Кудрин А.В. Эффект холла: практикум. Нижний Новгород, Нижегородский госуниверситет, 2013, 24 с.

[12] Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А., Лукьянов Е.А., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Чудинов С.М. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs-Alx Ga1-xAs с высокой подвижностью. Поверхность: Физика, химия, механика, 1988, № 5, с. 79–84.