Проблемы получения слаболегированных эпитаксиальных слоев AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии

Авторы: Шумакин Н.И.
Опубликовано в выпуске: #2(31)/2019
DOI: 10.18698/2541-8009-2019-2-445
Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника
Ключевые слова: гетероструктура, жидкофазная эпитаксия, слаболегированный слой, фоновые примеси, легирование, компенсация, арсенид галлия, редкоземельные элементы
Опубликовано: 20.02.2019

Слаболегированные слои AlGaAs позволяют создавать эпитаксиальные структуры для высокоэффективных приборов различного назначения, которые обладают специальными свойствами. При формировании слаболегированных слоев в тех или иных приложениях возникает ряд проблем с получением низкой концентрации собственных носителей в таких слоях. Одной из основных проблем при формировании таких слоев является присутствие фоновой примеси в исходных компонентах. В статье рассмотрена возможность получения слаболегированного слоя AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии путем легирования раствора-расплава редкоземельными элементами и методом компенсации носителей заряда. Описаны преимущества применения каждого из методов для определенного типа приборов.

Литература

[1] Салли И.В., Фалькевич Э.С. Производство полупроводникового кремния. М., Металлургия, 1970.

[2] Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. М., Металлургия, 1987.

[3] Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. и др. Технология полупроводникового кремния. М., Металлургия, 1996.

[4] Kaniewska M. Deep levels in Yb–Al co-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy. Mater. Sci. Semicond. Process., 2006, vol. 9, no. 1-3, pp. 366–370. DOI: 10.1016/j.mssp.2006.01.018 URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800106000308

[5] Шумакин Н.И., Стрельченко С.С. Особенности получения слаболегированных слоев алюминия-галлия арсенида для фотоприемных устройств. Инженерный журнал: наука и инновации, 2017, № 6. DOI: 10.18698/2308-6033-2017-6-1628 URL: http://engjournal.ru/catalog/msm/nnm/1628.html

[6] Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л., Наука, 1972.

[7] Алферов Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепции и применения в физике, электронике и технологии. УФН, 2002, т. 172, № 9, с. 1072–1086. DOI: 10.3367/UFNr.0172.200209e.1068 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/9/e/

[8] Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров. М., Атомиздат, 1990.

[9] Чарыков Н.А. Физические явления в p-n переходах. М., МЭИ, 1994.

[10] Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М., Мир, 2004.

[11] Бахрушин В.Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций. Запорожье, ЗИГМУ, 2001.