Особенности фотолитографии в глубоком ультрафиолете

Авторы: Баклыков Д.А., Громов М.И., Тащев Р.А.
Опубликовано в выпуске: #10(39)/2019
DOI: 10.18698/2541-8009-2019-10-535
Раздел: Машиностроение и машиноведение | Рубрика: Технологии и оборудование механической и физико-технической обработки
Ключевые слова: фотолитография в глубоком ультрафиолете, числовая апертура, критерий Рэлея, капельный источник плазмы, высокотемпературная плазма, многослойная оптическая система, фотошаблон, фоторезист
Опубликовано: 08.10.2019

Рассмотрен метод фотолитографии в глубоком ультрафиолете, являющийся одним из самых перспективных на данный момент. Показаны основные преимущества и недостатки данного метода, характерные материалы фоторезистов и оптической системы. Подробно описана система передачи изображения на подложку с выделение функции каждого покрытия, используемого в ней. Приведена конструкция установки для воспроизведения метода фотолитографии в глубоком ультрафиолете, а также подробно рассмотрены отдельные компоненты системы с выделением требований к каждому из них. Показаны современные области применения метода и его производственные ограничения.

Литература

[1] Mbanaso Ch., Denbeaux G. EUV lithography. College of Nanoscale Science and Engineering, University at Albany, Albany, NY, USA.

[2] Pirati A., Peeters R., Smith D. EUV lithography performance for manufacturing: status and outlook. Proc. SPIE, 2016, vol. 9776. DOI: 10.1117/12.2220423 URL: https://www.spie.org/Publications/Proceedings/Paper/10.1117/12.2220423

[3] Abhari R.S., Rollinger B., Giovannini A.Z., et al. Laser-produced plasma source for extreme-ultraviolet lithography applications. J. Micro Nanolith. MEM., 2012, vol. 11, no. 2, art. 0211114. DOI: 10.1117/1.JMM.11.2.021114 URL: https://www.spiedigitallibrary.org/journals/Journal-of-MicroNanolithography-MEMS-and-MOEMS/volume-11/issue-2/021114/Laser-produced-plasma-light-source-for-extreme-ultraviolet-lithography-applications/10.1117/1.JMM.11.2.021114.short?SSO=1

[4] Fomenkov I., Brandt D., Ershov A., et al. Light sources for high-volume manufacturing EUV lithography: technology, performance, and power scaling. Adv. Opt. Technol., 2017, vol. 6, no. 3-4, pp. 173–186. DOI: 10.1515/aot-2017-0029 URL: https://www.degruyter.com/view/j/aot.2017.6.issue-3-4/aot-2017-0029/aot-2017-0029.xml

[5] Mizoguchi H., Nakarai H., Abe T., et al. Nowak high power LPP-EUV source with long collector mirror lifetime for high volume semiconductor manufacturing. Gigaphoton Inc. Shinomiya Hiratsuka Kanagawa, 2017.

[6] Canova F., Poletto L. Optical technologies for extreme-ultraviolet and soft X-ray coherent sources. Springer, 2015.

[7] Dolgov A. Plasma-assisted cleaning of extreme UV optics. PhD Thesis. University of Twente, Netherlands.

[8] Hellweg D., Perlitz S., Magnusson K., et al. Actinic review of EUV masks: performance data and status of the AIMS EUV system. Proc. SPIE, 2017, vol. 10143. DOI: 10.1117/12.2261662 URL: https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/10143/101430J/Actinic-review-of-EUV-masks--performance-data-and-status/10.1117/12.2261662.short

[9] Itani T., Kozawa T. Resist materials and processes for extreme ultraviolet lithography. Jpn. J. Appl. Phys., 2013, vol. 52, no. 1R, art. 010002. DOI: 10.7567/JJAP.52.010002 URL: https://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.52.010002

[10] Song T., Jung J.H., Rim W.J., et al. A 7nm FinFET SRAM using EUV lithography with dual write-driver-assist circuitry for low-voltage applications. ISSCC, 2018, pp. 106–108. DOI: 10.1109/ISSCC.2018.8310252 URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8310252

[11] Pirati A., van Schoot J., Troost K., et al. The future of EUV lithography: enabling Moore’s law in the next decade. Proc. SPIE, 2017, vol. 10143. DOI: 10.1117/12.2261079 URL: https://spie.org/Publications/Proceedings/Paper/10.1117/12.2261079?SSO=1